rtp是應為RapidThermalProcessing的簡稱，也就是一種快速熱處理，是在一個短暫的時間內實現(xiàn)加熱，在半導體領域就是例如給硅片加熱至400~1300℃這個范圍，這種操作是有一定優(yōu)勢，以下內容當中會涉及到，相對于半導體領域的rtp設備或其他設備在供電上使用的ups電源是可以直接咨詢我們優(yōu)比施廠家，廠家直接對接更放心。

rtp設備的原理：

RTP(RapidThermalProcessing)是一種在很短的時間內將整個硅片加熱到400~1300濕度范圍的方法。與爐管退火相比，它具有熱預算少、硅中雜質運動少、污染少、加工時間短的特點。

當雜質離子注入半導體時，高能入射離子會與半導體晶格中的原子發(fā)生碰撞，導致部分晶格原子發(fā)生位移，產生大量空位，從而導致注入區(qū)域的原子發(fā)生無序或變成非晶區(qū)

因此，在離子注入后，半導體必須在一定溫度下退火，以恢復晶體結構并消除缺陷。同時，退火還具有激活施主和受主雜質的作用，即退火間隙位置的一些雜質原子，使其進入取代位置。

Rtp工藝：

RTP快速熱處理是一種加熱速度非?？?、保溫時間短的熱處理方法。升溫速率可達每秒10~100攝氏度。一般采用紅外鹵素燈或電阻棒加熱。加熱時電流很大，功率很大。

在半導體制造中使用專用的RTP爐進行實驗室等實驗是一種工藝，可以用于離子注入后雜質的快速活化、快速熱氧化等。這種方法可以大大節(jié)省熱處理時間，降低生產成本，是熱處理的一種創(chuàng)新。

快速退火爐采用鹵素紅外燈作為熱源，通過極快的加熱速度將晶圓或材料快速加熱到300-1200，從而消除晶圓或材料內部的一些缺陷，提高產品性能。

快速退火爐采用先進的微機控制系統(tǒng)和pid閉環(huán)溫度控制，可實現(xiàn)極高的溫度控制精度和溫度均勻性，并可根據(jù)用戶工藝要求配備真空室或多通道氣體。